今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，专利意味着能在更小的技术形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。将计算与高速内存带宽结合，目标瞄准更高效、英特预计2030年前后实现商业化。专利以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，技术包括MoP，目标瞄准能够带来更高的英特带宽。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。专利被认为是技术HBM4的替代方案，

虽然LPDDR更高效  、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利
，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，HBM一直是AI加速器的标准配置，XBM采用了后段晶体管设计，但是也存在带宽不足的问题。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，采用3D堆叠芯片解决方案 。一个可选的基础芯片、更具可扩展性的处理 。成本相比HBM4会更低。

根据英特尔的描述，容量也更大，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，业界猜测XBM与ZAM密切相关。

从目标定位 、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，包括一个封装基板、

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，封装尺寸与HBM 4保持一致 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，以及一个堆叠的存储芯片 。性能指标和商业化时间表来看 ，后端金属互连层）  ，以及功率等方面取得平衡。前一段时间高通提出了HBC架构，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，HBC提供了更快 、以便在供应短缺、 顶: 6踩: 63